في خبر حصري يعكف العملاق الكوري سامسونج على تعزيز التكنولوجيا في عالم الذواكر مع إعلانه عن ذاكرة HBM4 المبتكرة. وقد أكد السيد سانغ جون هوانغ نائب الرئيس التنفيذي ورئيس فريق منتجات DRAM في سامسونج هذا الإعلان البارز.
تأتي ذاكرة HBM4 لتجسد الابتكار المستمر في هذا المجال، وهي خطوة نوعية ترفع أداء الحوسبة العالية الأداء (HPC) إلى مستوى جديد. ولتحقيق هذا الإنجاز، تجمع HBM4 بين عدة تقنيات متقدمة.
أحد أبرز تلك التقنيات هو تجميع الرقائق الغير الموصلة (NCF)، والتي تعد طبقة بوليمر مصممة لحماية تقنية TSV (تقنية ترابط الرقائق ثلاثية الأبعاد). هذه التقنية تربط الرقائق العلوية والسفلية من خلال آلاف الثقوب الدقيقة لتوفير سرعة نقل عالية وربطًا مثاليًا بين الرقائق المكدسة. وبفضل هذه العملية، يمكن تقليل حجم الذاكرة بنسبة تصل إلى 30% وتقليل استهلاك الطاقة بنسبة تصل إلى 50%.
بالإضافة إلى ذلك، تعتمد ذاكرة HBM4 على تقنية الترابط النحاسي الهجين (HCB)، والتي تستخدم الموصلات النحاسية وعوازل من طبقات رقيقة بدلاً من اللحام التقليدي. هذا يمكنها من الوصول إلى واجهة ذاكرة 2048 بت، مما يعزز من قدرتها على تحقيق أداء متميز.
من المتوقع أن تطلق سامسونج ذاكرة HBM4 في عام 2025، مما يشير إلى تفاؤل بتقديم هذه التقنية الرائدة في السوق. وليست سامسونج وحدها في هذا المجال، حيث تستعد شركة ميكرون أيضًا لتقديم إصدارها الخاص من ذاكرات HBMNext في نفس الفترة. هذا يعكس الجهود المتواصلة لتطوير التكنولوجيا وتحسين أداء الحوسبة العالية الأداء، مما يعد بمستقبل مشرق لهذا القطاع المهم.
